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BSP613PH6327XTSA1

更新时间： 2025-07-20 03:11:27

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英飞凌 - INFINEON		/
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9页	382K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

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BSP613P

1 Power Dissipation

2 Drain current

I = f (T )

= f (T )

tot

parameter: V ≥ 10 V

1.9

3.2

1.6

1.4

1.2

2.4

1.6

1.2

0.8

0.4

0.8

0.6

0.4

0.2

°C

80 100 120

160

80 100 120 °C 160

3 Safe operating area

I = f ( V

4 Transient thermal impedance

Z = f(t )

thJC

)

parameter : D = 0 , T = 25 °C

parameter: D = t / T

K/W

= 100.0

1 ms

-1

10 ms

D = 0.50

0.20

-2

0.10

-3

0.05

-1

0.02

single pulse

-4

0.01

-2

-10 ^-1

-5

-10 ⁰

-10 ¹

-10 ²

10 ^-710 ^-610 ^-510 ^-410 ^-310 ^-2

10 ⁰

Rev.2.8

Page 4

2016-05-30

1 2 345 6 7...9

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