5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 90 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP52TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP550 | INFINEON |
获取价格 |
MiniPROFET (High-side switch Short-circuit protection Input protection Overtemperature pro |
|
| BSP60 | NXP |
获取价格 |
PNP Darlington transistors |
|
| BSP60 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturatio |
|
| BSP60 | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP Darlington transistorProduction |
|
| BSP60,115 | NXP |
获取价格 |
BSP60; BSP61; BSP62 - PNP Darlington transistors SC-73 4-Pin |
|
| BSP60_07 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Darlington Transistor |
|
| BSP603S2L | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| BSP603S2LHUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP60BSP62 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturatio |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
