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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 90 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 1.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP52TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.5 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP550 | INFINEON |
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MiniPROFET (High-side switch Short-circuit protection Input protection Overtemperature pro |
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| BSP60 | NXP |
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PNP Darlington transistors |
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| BSP60 | INFINEON |
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PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturatio |
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| BSP60 | NEXPERIA |
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PNP Darlington transistorProduction |
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| BSP60,115 | NXP |
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BSP60; BSP61; BSP62 - PNP Darlington transistors SC-73 4-Pin |
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| BSP60_07 | INFINEON |
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PNP Silicon Darlington Transistor |
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| BSP603S2L | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| BSP603S2LHUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP60BSP62 | INFINEON |
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PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturatio |
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