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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.13 | 雪崩能效等级（Eas）： | 45 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.31 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6.8 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP372N | INFINEON |
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所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用（2N7002 除外）。 |
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| BSP372NH6327 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP372NH6327XTSA1 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP373 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche rated) |
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| BSP373_07 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal Transistor |
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| BSP373E6327 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSP373E6327 | ROCHESTER |
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1.7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| BSP373L6327 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSP373L6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSP373N | INFINEON |
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所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用（2N7002 除外）。 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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