BSP372

更新时间： 2024-01-07 12:31:17

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描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

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BSP372 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.13
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	1.7 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSP372 数据手册

BSP 372

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• Avalanche rated

• V

= 0.8 ...2.0 V

GS(th)

Pin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4

Type

DS(on)

Package

Marking

BSP 372

100 V

1.7 A

0.31 Ω

SOT-223

BSP 372

Type

Ordering Code

Tape and Reel Information

BSP 372

Q 67000-S300

E6327

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

1.7

Unit

Continuous drain current

T = 28 °C

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 °C

6.8

Avalanche energy, single pulse

Ω

I = 1.7 A, V = 25 V, R = 25

L = 23.3 mH, T = 25 °C

Gate source voltage

Gate-source peak voltage,aperiodic

Power dissipation

tot

T = 25 °C

1.8

Semiconductor Group

Sep-12-1996

12 3 4 5 6 7...9

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