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BSP33-TAPE-7

更新时间: 2024-11-25 03:07:39
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恩智浦 - NXP 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 58K
描述
1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

BSP33-TAPE-7 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.18
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
基于收集器的最大容量:20 pF集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
最大关闭时间(toff):650 ns最大开启时间(吨):500 ns
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

BSP33-TAPE-7 数据手册

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