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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-73 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.16 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 20 pF | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 650 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 500 ns | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BCP53-10T1G | ONSEMI |
功能相似  |
PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT |
|
| BF720T1G | ONSEMI |
功能相似 |
NPN Silicon Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP33,115 | NXP |
获取价格 |
80 V, 1 A PNP medium power transistor SC-73 4-Pin |
|
| BSP3-347 | ETC |
获取价格 |
3-Pole LED Driver Ballast Surge Protectors, Enhanced |
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| BSP33-T | NXP |
获取价格 |
1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN |
|
| BSP33T/R | NXP |
获取价格 |
1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN |
|
| BSP33TA | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| BSP33-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| BSP33-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| BSP33TC | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BSP33TRL | NXP |
获取价格 |
1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| BSP33TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
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