BSP33

更新时间： 2024-11-23 23:14:23

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器
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MEDIUM POWER AMPLIFIER

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BSP33 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BSP33 数据手册

BSP30/31

BSP32/33

MEDIUM POWER AMPLIFIER

ADVANCE DATA

■

SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP

TRANSISTORS

MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR

APPLICATION IN SURFACE MOUNTING

CIRCUITS

■

GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED

FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL

APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER

OUTPUT STAGE

NPN COMPLEMENTS ARE BSP40, BSP41,

BSP42 AND BSP43 RESPECTIVELY

SOT-223

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

BSP30/BSP31

BSP32/BSP33

V_CBO

V_CEO

V_CES

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Collector-Emitter Voltage (R_BE= 1KΩ)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

-70

-60

-70

-90

-80

-90

-5

-1

I_B

Base Current

-0.1

P_tot

T_stg

T_j

Total Dissipation at T_c= 25 C

^oC

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/4

October 1995

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSP33,115	NXP	获取价格	80 V, 1 A PNP medium power transistor SC-73 4-Pin
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BSP33TA	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
BSP33-TAPE-13	NXP	获取价格	1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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BSP33TC	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
BSP33TRL	NXP	获取价格	1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
BSP33TRL	YAGEO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4