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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.24 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 650 ns | 最大开启时间（吨）： | 500 ns |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP33 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
MEDIUM POWER AMPLIFIER |
|
| BSP33 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| BSP33 | ZETEX |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| BSP33 | NXP |
获取价格 |
PNP medium power transistors |
|
| BSP33 | NEXPERIA |
获取价格 |
80 V, 1 A PNP medium power transistorProduction |
|
| BSP33 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin |
|
| BSP33,115 | NXP |
获取价格 |
80 V, 1 A PNP medium power transistor SC-73 4-Pin |
|
| BSP3-347 | ETC |
获取价格 |
3-Pole LED Driver Ballast Surge Protectors, Enhanced |
|
| BSP33-T | NXP |
获取价格 |
1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN |
|
| BSP33T/R | NXP |
获取价格 |
1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN |
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