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BSP324E6327

更新时间： 2024-09-16 14:50:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 174K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 400V, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PACKAGE-4

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BSP324E6327 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：PACKAGE-4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.29
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.17 A最大漏极电流 (ID)：0.17 A
最大漏源导通电阻：25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：0.68 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSP324E6327 数据手册

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BSP 324  
®
SIPMOS Small-Signal Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• V  
= 1.5 ...2.5 V  
GS(th)  
Pin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4  
G
D
S
D
Type  
V
I
R
Package  
Marking  
DS  
D
DS(on)  
Ω
BSP 324  
400 V  
0.17 A  
25  
SOT-223  
BSP 324  
Type  
Ordering Code  
Tape and Reel Information  
BSP 324  
Q67000-S215  
E6327  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Drain source voltage  
Drain-gate voltage  
V
V
400  
V
DS  
DGR  
Ω
R
= 20 k  
400  
GS  
±
14  
Gate source voltage  
V
V
GS  
Gate-source peak voltage,aperiodic  
Continuous drain current  
± 20  
0.17  
0.68  
1.7  
gs  
I
A
D
T = 33 °C  
A
DC drain current, pulsed  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
A
Power dissipation  
P
W
tot  
T = 25 °C  
A
Semiconductor Group  
1
Sep-12-1996  
1234567...9

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BSP324E6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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