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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-73 |
| 包装说明： | PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 270 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.35 A |
| 最大漏源导通电阻： | 8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 30 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 10 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP127-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.35 A, 270 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP127-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 0.35 A, 270 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP127TRL | NXP |
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TRANSISTOR 350 mA, 270 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP127TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 350 mA, 270 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP128 | NXP |
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N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP128135 | NXP |
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TRANSISTOR 350 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP128T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 350MA I(D) | SOT-223 |
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| BSP128-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.35 A, 200 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP128-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.35 A, 200 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP128TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 350 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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