Datasheet > BSL308PEL6327

BSL308PEL6327

更新时间： 2024-11-05 21:22:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	339K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSOP-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSL308PEL6327 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2.1 A
最大漏源导通电阻：	0.08 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	7.8 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSL308PEL6327 数据手册

BSL308PE

OptiMOS™ P3 Small-Signal-Transistor

Features

Product Summary

V_DS

-30

• Dual P-channel

R_DS(on),max

V_GS=-10 V

V_GS=-4.5 V

• Enhancement mode

130

-2.0

• Logic level (4.5V rated)

I_D

• ESD protected

PG-TSOP-6

• Qualified according to AEC Q101

• 100% Lead-free; RoHS compliant

• Halogen free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Tape and Reel Information

Marking

Lead Free

Packing

BSL308PE PG-TSOP-6 H6327: 3000 pcs/ reel

sPR

Yes

Non dry

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Parameter¹⁾

Value

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _A=25 °C

T _A=70 °C

T _A=25 °C

Continuous drain current

-2.0

-1.6

-8.0

I _D,pulse

Pulsed drain current

E _AS

I _D=-2 A, R _GS=25 W

Avalanche energy, single pulse

-10.7

I _D=-2 A,

V _DS=-16V,

di /dt =-200A/µs,

T _j,max=150 °C

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

V _GS

Gate source voltage

±20

0.5

Power dissipation²⁾

P _tot

T _A=25 °C

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

ESD Class

-55 ... 150

2 (2kV to 4kV)

260 °C

JESD22-A114 -HBM

Soldering Temperature

°C

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

¹⁾Only one of both transistors in operation

55/150/56

Rev 2.03

page 1

2013-11-07

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与BSL308PEL6327相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSL308PEL6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
BSL314PE	INFINEON	获取价格	OptiMOS™-P 3 Small-Signal-Transistor
BSL314PEL6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
BSL315P	INFINEON	获取价格	OptiMOS™-P 2 Small-Signal-Transistor
BSL315PH6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
BSL315PL6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
BSL316C	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 2 + OptiMOS™-P 2 Small Signal Transi
BSL316CH6327XTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
BSL316CL6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
BSL40	ASTRODYNE	获取价格	40W Single Output Class II Switching Power Supplies

与BSL308PEL6327相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

10
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSL308PEL6327

BSL308PEL6327 技术参数

BSL308PEL6327 数据手册

与BSL308PEL6327相关器件

与BSL308PEL6327相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSL308PEL6327

BSL308PEL6327 技术参数

BSL308PEL6327 数据手册

与BSL308PEL6327相关器件

与BSL308PEL6327相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？