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BSC886N03LSGATMA1

更新时间： 2024-09-25 19:15:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 672K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC886N03LSGATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.68
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：20 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.0092 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-N5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：260 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC886N03LSGATMA1 数据手册

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与BSC886N03LSGATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC889N03LSG INFINEON

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