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BSC882N03MSG

更新时间： 2024-09-25 19:53:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 538K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 34V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC882N03MSG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.79雪崩能效等级（Eas）：75 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：34 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.0033 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：69 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC882N03MSG 数据手册

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BSC882N03MSG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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