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BSC750N10NDG

更新时间: 2024-09-25 09:00:23
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页数 文件大小 规格书
10页 601K
描述
OptiMOSTM2 Power-Transistor

BSC750N10NDG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.78
Is Samacsys:N其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):17 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):13 A最大漏极电流 (ID):3.2 A
最大漏源导通电阻:0.075 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):26 W最大脉冲漏极电流 (IDM):52 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSC750N10NDG 数据手册

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