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BSC520N15NS3GATMA1

更新时间： 2024-09-25 19:50:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	658K
描述
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC520N15NS3GATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.65
雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (ID)：	21 A	最大漏源导通电阻：	0.052 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	57 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSC520N15NS3GATMA1 数据手册

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BSC520N15NS3GATMA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDMS86252	FAIRCHILD	功能相似	Max rDS(on) = 51 mÎ© at VGS = 10 V, ID = 4.6
FDMS2572	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel UltraFET Trench MOSFET

与BSC520N15NS3GATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSC520N15NS3GXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BS-C521RD	ETC	获取价格	SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C522RD	ETC	获取价格	SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C523RD	ETC	获取价格	SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C524RD	ETC	获取价格	SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C525RD	ETC	获取价格	SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C525RE	ETC	获取价格	SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C526RD	ETC	获取价格	SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C52DRD	ETC	获取价格	SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C536RD	BRTLED	获取价格	0.52(13.20MM)single DIGIT LED DISPLAY

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