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BSC520N15NS3 G

更新时间： 2024-09-26 14:53:07

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英飞凌 - INFINEON		/
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11页	1148K
描述
与次优竞品相比，150V OptiMOS? R DS(on) 降低 40%，品质因数 (FOM) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性，如从引脚封装转变为 SMD 封装或使用一个 OptiMOS? 部件有效替换两个原有部件。

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BSC520N15NS3 G 数据手册

BSC520N15NS3ꢀG

MOSFET

SuperSO8

OptiMOSªꢀ3ꢀPower-Transistor,ꢀ150ꢀV

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀdc-dcꢀconversion

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ150ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant;

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplication

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Drain

Pin 5-8

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

150

Unit

V_DS

Gate

Pin 4

R_DS(on),max

I_D

mΩ

Source

Pin 1-3

*1: Internal body diode

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

520N15NS

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¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2023-03-24

12 3 4 5 6 7...11

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