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BSC440N10NS3 G

更新时间： 2024-09-26 11:16:03

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	580K
描述
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。

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BSC440N10NS3 G 数据手册

BSC440N10NS3 G

$(*'#$%^TM3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

100

: % 07 *- 5 '!2% # (!0'% &- 0 ()'( &0% /3% ,# 7 !..*)# !2)- ,1

: ꢀ .2)+ )8% $ &- 0 $ # ꢁ$ # # - ,4% 01)- ,

R_DS(on),max

I_D

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PG-TDSON-8

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Type

Package

Marking

BSC440N10NS3 G

PG-TDSON-8

440N10NS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

T _A=25 °C,

R _thJA=50 K/W²⁾

5.3

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

I _D=12 A, R _GS=25 #

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

Rev. 2.4

page 1

2009-10-30

12 3 4 5 6 7...10

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BS-C516RD	BRTLED	获取价格	0.56(14.20MM)single DIGIT LED DISPLAY