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BSC360N15NS3G

更新时间: 2024-09-25 09:00:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 573K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

BSC360N15NS3G 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.18
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):80 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:150 V最大漏极电流 (Abs) (ID):33 A
最大漏极电流 (ID):33 A最大漏源导通电阻:0.036 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-F5
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):132 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSC360N15NS3G 数据手册

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BSC360N15NS3 G  
"%&$!"#3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
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Type  
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Package  
Marking  
E=%I9HDC%0  
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Maximum ratings, 1D T V   Tꢈ  E><5CC ? D85BG9C5 C@53 96954  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
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BSC360N15NS3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSC520N15NS3G INFINEON

完全替代

OptiMOS™3 Power-Transistor
BSC016N04LSG INFINEON

完全替代

OptiMOS™3 Power-Transistor

与BSC360N15NS3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BS-C361RD ETC

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SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C362RD BRTLED

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8.00mm (0.31) high single seven segments display
BS-C363RD ETC

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SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C364RD ETC

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SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C365RD ETC

获取价格

SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
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SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C36DRD ETC

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BS-C401RD YSTONE

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BS-C402RD YSTONE

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SINGLE DIGIT LED DISPLAYS