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BSC350N20NSFDATMA1

更新时间： 2024-11-29 14:48:07

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	1038K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSO8, TDSON-8

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BSC350N20NSFDATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	28 weeks 1 day
风险等级：	1.65	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	97 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSC350N20NSFDATMA1 数据手册

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BSC350N20NSFD

MOSFET

OptiMOS^TM3ꢀPower-Transistor,ꢀ200ꢀV

SuperSO8

Features

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀ175ꢀ°Cꢀrated

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀꢀforꢀtargetꢀapplication

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

S 1

8 D

7 D

Parameter

Value

200

Unit

S 2

S 3

G 4

V_DS

6 D

5 D

R_DS(on),max

I_D

mΩ

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

BSC350N20NSFD

PG-TDSON-8

350N20NF

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2016-12-05

12 3 4 5 6 7...11

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