5秒后页面跳转
BSC160N10NS3GATMA1 PDF预览

BSC160N10NS3GATMA1

更新时间: 2024-11-20 14:50:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 547K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

BSC160N10NS3GATMA1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:10 weeks 5 days
风险等级:0.85雪崩能效等级(Eas):50 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):8.8 A
最大漏源导通电阻:0.016 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F5JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:5工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):168 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSC160N10NS3GATMA1 数据手册

 浏览型号BSC160N10NS3GATMA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSC160N10NS3GATMA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSC160N10NS3GATMA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSC160N10NS3GATMA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSC160N10NS3GATMA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSC160N10NS3GATMA1的Datasheet PDF文件第7页 
BSC160N10NS3 G  
$(*'#$%TM3 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
100  
16  
V
9  .1)+ )7% $ &- / $ # ꢁ$ # # - ,3% /0)- ,  
9  ꢁ# (!,,% *ꢃ ,- /+ !* *% 3% *  
RDS(on),max  
ID  
m#  
A
42  
9  5# % **% ,1 '!1% # (!/'% 5 R DS(on) product (FOM)  
9   % /6 *- 4 - ,ꢁ/% 0)01!,# % R DS(on)  
PG-TDSON-8  
9    8ꢈ - .% /!1),' 1% + .% /!12 /%  
9  " ꢁ&/% % *% !$ .*!1),'ꢊ  -   # - + .*)!,1  
9  2 !*)&)% $ !# # - /$ ),' 1-      1) for target application  
9  !*- '% ,ꢁ&/% % !## - /$ ),' 1- ꢑꢄ       ꢁꢓ ꢁꢓ   
Type  
Package  
Marking  
BSC160N10NS3 G  
PG-TDSON-8  
160N10NS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
42  
27  
A
T C=100 °C  
T A=25 °C,  
R thJA=50 K/W2)  
8.8  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
168  
50  
I D=33 A, R GS=25 #  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
60  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
Rev. 2.4  
page 1  
2009-10-30  

BSC160N10NS3GATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSC152N10NSFGATMA1 INFINEON

类似代替

Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.0152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC152N10NSFG INFINEON

功能相似

OptiMOS™2 Power-Transistor
FDMS3662 FAIRCHILD

功能相似

N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 100V, 49A, 14.

与BSC160N10NS3GATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC160N10NS3GXT INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
BSC160N10NSG INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
BSC160N15NS5 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC160N15NS5SC INFINEON

获取价格

OptiMOS™ 5 power MOSFETs 150 V in SuperSO8 DS
BSC16DN25NS3 G INFINEON

获取价格

英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,完全适合在 48V 系统、直
BSC16DN25NS3G INFINEON

获取价格

OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSC16DN25NS3G_11 INFINEON

获取价格

OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSC16DN25NS3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 10.9A I(D), 250V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC190N12NS3 G INFINEON

获取价格

120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能,适用于各种应用,支持实