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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC159N10LSFG | INFINEON |
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OptiMOS?2 Power-Transistor |
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| BSC159N10LSFGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.0159ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| BSC160N10NS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSC160N10NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC160N10NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| BSC160N10NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| BSC160N10NSG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| BSC160N15NS5 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC160N15NS5ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC160N15NS5SC | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 power MOSFETs 150 V in SuperSO8 DS |
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