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BSC150N03LDGATMA1

更新时间： 2024-11-13 19:52:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 320K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC150N03LDGATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.67其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：10 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：26 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC150N03LDGATMA1 数据手册

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BSC150N03LD G  
OptiMOS™3 Power-Transistors  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
15  
20  
V
• Dual N-channel, logic level  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Fast switching MOSFETs for SMPS  
PG-TDSON-8  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• 100% Avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC150N03LD G  
PG-TDSON-8  
150N03LD  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
≤10 secs steady state  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
GS=10 V, T C=100 °C  
20  
Continuous drain current  
A
20  
20  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
GS=4.5 V,  
17  
T C=100 °C  
GS=10 V, T A=25 °C3)  
12.4  
8
V
Pulsed drain current2)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
80  
10  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
mJ  
V
V GS  
P tot  
±20  
26  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
T A=25 °C3)  
3.6  
1.5  
T j, T stg  
-55 ... 150  
55/150/56  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
1) J-STD20 and JESD22  
°C  
Rev. 1.4  
page 1  
2009-11-04  
1234567...10

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