5秒后页面跳转
BSC150N03LD G PDF预览

BSC150N03LD G

更新时间: 2024-09-26 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 通信电池数据通信服务器电脑栅极调节器
页数 文件大小 规格书
10页 319K
描述
极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS? 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS? 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6)

BSC150N03LD G 数据手册

 浏览型号BSC150N03LD G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSC150N03LD G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSC150N03LD G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSC150N03LD G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSC150N03LD G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSC150N03LD G的Datasheet PDF文件第7页 
BSC150N03LD G  
OptiMOS™3 Power-Transistors  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
15  
20  
V
• Dual N-channel, logic level  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• Fast switching MOSFETs for SMPS  
PG-TDSON-8  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• 100% Avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC150N03LD G  
PG-TDSON-8  
150N03LD  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
10 secs steady state  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
GS=10 V, T C=100 °C  
20  
Continuous drain current  
A
20  
20  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
GS=4.5 V,  
17  
T C=100 °C  
GS=10 V, T A=25 °C3)  
12.4  
8
V
Pulsed drain current2)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
80  
10  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
mJ  
V
V GS  
P tot  
±20  
26  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
T A=25 °C3)  
3.6  
1.5  
T j, T stg  
-55 ... 150  
55/150/56  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
1) J-STD20 and JESD22  
°C  
Rev. 1.4  
page 1  
2009-11-04  

与BSC150N03LD G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC150N03LDG INFINEON

获取价格

OptiMOS™3 Power-Transistors
BSC150N03LDGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSC152N10NSFG INFINEON

获取价格

OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC152N10NSFGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.0152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC152N15LS5 INFINEON

获取价格

The OptiMOS? 5 Logic-Level power MOSFET 150 V family offers the same excellent performance
BSC155N06ND INFINEON

获取价格

OptiMOS™ 60V power MOSFET
BSC159N10LSFG INFINEON

获取价格

OptiMOS?2 Power-Transistor
BSC159N10LSFGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.0159ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC160N10NS3 G INFINEON

获取价格

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
BSC160N10NS3G INFINEON

获取价格

OptiMOS3 Power-Transistor