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BSC150N03LDG

更新时间: 2024-11-13 06:44:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 321K
描述
OptiMOS™3 Power-Transistors

BSC150N03LDG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.65
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):10 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.022 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):26 W最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSC150N03LDG 数据手册

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BSC150N03LD G  
OptiMOS™3 Power-Transistors  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
15  
20  
V
• Dual N-channel, logic level  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• Fast switching MOSFETs for SMPS  
PG-TDSON-8  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• 100% Avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC150N03LD G  
PG-TDSON-8  
150N03LD  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
10 secs steady state  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
GS=10 V, T C=100 °C  
20  
Continuous drain current  
A
20  
20  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
GS=4.5 V,  
17  
T C=100 °C  
GS=10 V, T A=25 °C3)  
12.4  
8
V
Pulsed drain current2)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
80  
10  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
mJ  
V
V GS  
P tot  
±20  
26  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
T A=25 °C3)  
3.6  
1.5  
T j, T stg  
-55 ... 150  
55/150/56  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
1) J-STD20 and JESD22  
°C  
Rev. 1.4  
page 1  
2009-11-04  

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