5秒后页面跳转
BSC146N10LS5 PDF预览

BSC146N10LS5

更新时间: 2024-11-14 11:15:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关驱动控制器电信微控制器栅极
页数 文件大小 规格书
12页 1202K
描述
逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷,可在不影响导通损耗的情况下减少开关损耗。采用 SuperS08 封装的 OptiMOS™ 5(BSC146N10LS5)功率 MOSFET 可在高开关频率下运作,并且其栅极阈值电压低,因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。它可用于 充电器、 适配器 和 电信等应用

BSC146N10LS5 数据手册

 浏览型号BSC146N10LS5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSC146N10LS5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSC146N10LS5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSC146N10LS5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSC146N10LS5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSC146N10LS5的Datasheet PDF文件第7页 
BSC146N10LS5  
MOSFET  
OptiMOSTMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
SuperSO8  
5
8
6
7
7
Features  
6
5
8
•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀSMPS,ꢀe.g.ꢀsync.ꢀRec.  
•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested  
•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance  
•ꢀN-channel,ꢀlogicꢀlevel  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
4
3
1
2
2
3
1
4
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
S 1  
8 D  
7 D  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
S 2  
S 3  
G 4  
Parameter  
Value  
100  
14.6  
44  
Unit  
6 D  
5 D  
VDS  
V
RDS(on),max  
ID  
m  
A
Qoss  
20  
nC  
nC  
QG(0V..4.5V)  
7.6  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
BSC146N10LS5  
PG-TDSON-8  
146N10LS  
-
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2020-08-06  

与BSC146N10LS5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC150N03LD G INFINEON

获取价格

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS? 25V 成
BSC150N03LDG INFINEON

获取价格

OptiMOS™3 Power-Transistors
BSC150N03LDGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSC152N10NSFG INFINEON

获取价格

OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC152N10NSFGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.0152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC152N15LS5 INFINEON

获取价格

The OptiMOS? 5 Logic-Level power MOSFET 150 V family offers the same excellent performance
BSC155N06ND INFINEON

获取价格

OptiMOS™ 60V power MOSFET
BSC159N10LSFG INFINEON

获取价格

OptiMOS?2 Power-Transistor
BSC159N10LSFGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.0159ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC160N10NS3 G INFINEON

获取价格

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM