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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.78 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 148 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.013 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 69 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 90 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC13DN30NSFD | INFINEON |
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200V、250V 和 300V 的 OptiMOS™ 快速二极管（FD）针对体二极管硬换 |
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| BSC146N10LS5 | INFINEON |
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逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷，可在不影响导通 |
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| BSC150N03LD G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| BSC150N03LDG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistors |
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| BSC150N03LDGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSC152N10NSFG | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC152N10NSFGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.0152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| BSC152N15LS5 | INFINEON |
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The OptiMOS? 5 Logic-Level power MOSFET 150 V family offers the same excellent performance |
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| BSC155N06ND | INFINEON |
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OptiMOS™ 60V power MOSFET |
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| BSC159N10LSFG | INFINEON |
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OptiMOS?2 Power-Transistor |
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