Datasheet > BSC12DN20NS3 G

BSC12DN20NS3 G

更新时间： 2024-11-14 14:52:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电机驱动转换器
页数	文件大小	规格书
9页	308K
描述
英飞凌 200V OptiMOS? 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流-直流转换器、不间断电源 (UPS) 和直流电机驱动逆变器中用于异步整流。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSC12DN20NS3 G 数据手册

Type

BSC12DN20NS3 G

OptiMOS^TM3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

200

125

11.3

• Optimized for dc-dc conversion

• N-channel, normal level

R_DS(on),max

I_D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Low on-resistance R _DS(on)

PG-TDSON-8

• 150 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSC12DN20NS3 G

PG-TDSON-8

12DN20NS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

11.3

8.0

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _D=5.7 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

V _GS

Gate source voltage

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾see figure 3

Rev. 2.2

page 1

2011-05-20

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与BSC12DN20NS3 G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSC12DN20NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSC12DN20NS3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC130P03LSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™-P Power-Transistor
BSC13DN30NSFD	INFINEON	获取价格	200V、250V 和 300V 的 OptiMOS™ 快速二极管（FD）针对体二极管硬换
BSC146N10LS5	INFINEON	获取价格	逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷，可在不影响导通
BSC150N03LD G	INFINEON	获取价格	极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成
BSC150N03LDG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistors
BSC150N03LDGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSC152N10NSFG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC152N10NSFGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.0152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,