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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 155 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 71 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0123 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 114 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 284 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSC265N10LSFG | INFINEON |
类似代替  |
OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC205N10LSG | INFINEON |
类似代替 |
OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC123N10LSGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 100V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| BSC12DN20NS3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 200V OptiMOS? 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流- |
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| BSC12DN20NS3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSC12DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| BSC130P03LSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™-P Power-Transistor |
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| BSC13DN30NSFD | INFINEON |
获取价格 |
200V、250V 和 300V 的 OptiMOS™ 快速二极管（FD）针对体二极管硬换 |
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| BSC146N10LS5 | INFINEON |
获取价格 |
逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷，可在不影响导通 |
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| BSC150N03LD G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| BSC150N03LDG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-Transistors |
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| BSC150N03LDGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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