型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC123N08NSG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC123N10LS G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
BSC123N10LSG | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor | |
BSC123N10LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 100V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSC12DN20NS3 G | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS? 产品采用性能先进标杆技术,适合在 48V 系统、直流- | |
BSC12DN20NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
BSC12DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSC130P03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™-P Power-Transistor | |
BSC13DN30NSFD | INFINEON |
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200V、250V 和 300V 的 OptiMOS™ 快速二极管(FD)针对体二极管硬换 | |
BSC146N10LS5 | INFINEON |
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逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷,可在不影响导通 |