Datasheet > BSC123N08NS3 G

BSC123N08NS3 G

更新时间： 2024-09-26 11:11:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		通信服务器
页数	文件大小	规格书
9页	589K
描述
OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源（例如服务器和通信）以及功耗（例如电动车）领域。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSC123N08NS3 G 数据手册

ꢀ $ ꢁ ꢂ ꢃ ꢄ ꢅ ꢆ $ ꢄ ꢇ

"%&$!"#C ꢄ " 9@/;ꢈ% ;+8<3<=9;

" ;9.>-= $ >77+;B

6KGYZWKX

)

)*&+

Q #451< 6? B 8978 6B5AE5>3 I CG9D3 89>7 1>4 CI>3 ꢀ B53 ꢀ

9H"[Z#$YMd

Q ( @D9=9J54 D53 8>? <? 7I 6? B ꢁ ꢂ ꢃꢁ ꢂ 3 ? >F5BD5BC

Q ꢄ H3 5<<5>D 71D5 3 81B75 H ' _9H"[Z#@B? 4E3 D ꢅ ( & ꢆ

Q ,E@5B9? B D85B=1< B5C9CD1>3 5

Q ' ꢇ3 81>>5<ꢈ >? B=1< <5F5<

Q ꢉ ꢊ ꢊ ꢋ 1F1<1>3 85 D5CD54

Q )2 ꢇ6B55 @<1D9>7ꢌ + ? " , 3 ? =@<91>D

Q * E1<96954 13 3 ? B49>7 D? $ ꢄ ꢁ ꢄ ꢂ ^)#6? B D1B75D 1@@<93 1D9? >C

Q " 1<? 75>ꢇ6B55 13 3 ? B49>7 D? #ꢄ ꢂ ꢍ ꢉ ꢎ ꢏ ꢐ ꢇꢎ ꢇꢎ ꢉ

A^VK

ꢕ ,ꢂ ꢉ ꢎ ꢔ ' ꢊ ꢗ ' ,ꢔ !

>GIQGMK

;GWQOTM

E=%I9HDC%0

)*+C(0CH

ꢉ +A37>7 ;+=381<ꢊ 1D ( _Vꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ ꢈ E><5CC ? D85BG9C5 C@53 96954

CGRZK

>GWGSKYKW

@^SHUR 3UTJOYOUTX

BTOY

)

_=Hꢑ ꢉ ꢊ .ꢈ ( ₈ꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ

ꢂ ? >D9>E? EC 4B19> 3 EBB5>D

_=Hꢑ ꢉ ꢊ .ꢈ ( ₈ꢑ ꢉ ꢊ ꢊ Tꢂ

)

_=Hꢑ ꢉ ꢊ .ꢈ ( ₆ꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ ꢈ

_`T@6ꢑ ꢒ ꢊ % ꢃ/ ^*#

))

)E<C54 4B19> 3 EBB5>D^+#

( ₈ꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ

**(

9$\aX_Q

)

$ ₉ꢑ ꢔ ꢔ ꢓ ꢈ ' _=Hꢑ ꢎ ꢒ "

ꢓ F1<1>3 85 5>5B7Iꢈ C9>7<5 @E<C5

!1D5 C? EB3 5 F? <D175

q*(

^)#$ ꢇ,-ꢁ ꢎ ꢊ 1>4 $ ꢄ ,ꢁ ꢎ ꢎ

^*#ꢁ 5F93 5 ? > ꢏ ꢊ == H ꢏ ꢊ == H ꢉ ꢀꢒ == 5@? HI )ꢂ ꢕ + ꢏ G9D8 ꢍ 3 =ꢎ ꢅ? >5 <1I5Bꢈ ꢖ ꢊ V = D893 ;ꢆ 3 ? @@5B 1B51 6? B 4B19>

3 ? >>53 D9? >ꢀ )ꢂ ꢕ 9C F5BD93 1< 9> CD9<< 19Bꢀ

^+#,55 697EB5 ꢔ 6? B =? B5 45D19<54 9>6? B=1D9? >

^,#,55 697EB5 ꢉ ꢔ 6? B =? B5 45D19<54 9>6? B=1D9? >

+ 5Fꢀ ꢎ ꢀꢒ

@175 ꢉ

ꢎ ꢊ ꢊ ꢐ ꢇꢉ ꢉ ꢇꢊ ꢏ

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与BSC123N08NS3 G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSC123N08NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistor
BSC123N08NS3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC123N08NS3GXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC123N08NSG	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC123N10LS G	INFINEON	获取价格	英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
BSC123N10LSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC123N10LSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 100V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC12DN20NS3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌 200V OptiMOS? 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流-
BSC12DN20NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSC12DN20NS3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,