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BSC123N08NS3G

更新时间： 2024-11-13 06:44:23
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英飞凌 - INFINEON /
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9页 322K
描述
OptiMOS™3 Power-Transistor

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BSC123N08NS3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：TDSON-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
雪崩能效等级（Eas）：70 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (ID)：55 A最大漏源导通电阻：0.0123 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：66 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC123N08NS3G 数据手册

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BSC123N08NS3 G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Features  
Product Summary  
V DS  
80  
12.3  
55  
V
• Ideal for high frequency switching and sync. rec.  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Superior thermal resistance  
• N-channel, normal level  
• 100% avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
BSC123N08NS3 G  
Package  
Marking  
PG-TDSON-8  
123N08NS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
55  
35  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
11  
thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
220  
70  
I D=33 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
V GS  
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain  
connection. PCB is vertical in still air.  
3) See figure 3 for more detailed information  
4) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 2.5  
page 1  
2009-11-04  
1234567...9

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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