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BSC120N12LS G

更新时间： 2024-09-26 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关栅驱动控制器电信微控制器栅极
页数	文件大小	规格书
13页	1444K
描述
逻辑电平 OptiMOS? 3 功率 MOSFET 特别适用于?充电、?适配器?和?电信等应用。该器件栅极电荷低，可降低开关损耗，而不影响导通损耗。逻辑电平 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。

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BSC120N12LS G 数据手册

BSC120N12LS

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ2ꢀPower-Transistor,ꢀ120ꢀV

SuperSO8

Features

•ꢀN-channel,ꢀlogicꢀlevel

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀRDS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀRDS(on)

•ꢀ150ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

S 1

8 D

7 D

S 2

S 3

G 4

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

6 D

5 D

Parameter

Value

120

Unit

V_DS

R_DS(on),max

I_D

mΩ

Q_oss

Q_G(0V..10V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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BSC120N12LS

PG-TDSON-8

120N12LS

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2019-11-25

12 3 4 5 6 7...13

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