5秒后页面跳转
BSC120N12LS G PDF预览

BSC120N12LS G

更新时间: 2024-11-06 14:56:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关驱动控制器电信微控制器栅极
页数 文件大小 规格书
13页 1444K
描述
逻辑电平 OptiMOS? 3 功率 MOSFET 特别适用于?充电、?适配器?和?电信等应用。该器件栅极电荷低,可降低开关损耗,而不影响导通损耗。逻辑电平 MOSFET 可在高开关频率下运作,并且其栅极阈值电压低,因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。

BSC120N12LS G 数据手册

 浏览型号BSC120N12LS G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSC120N12LS G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSC120N12LS G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSC120N12LS G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSC120N12LS G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSC120N12LS G的Datasheet PDF文件第7页 
BSC120N12LS  
MOSFET  
OptiMOSTMꢀ2ꢀPower-Transistor,ꢀ120ꢀV  
SuperSO8  
5
8
6
7
7
Features  
6
5
8
•ꢀN-channel,ꢀlogicꢀlevel  
•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀRDS(on)ꢀproductꢀ(FOM)  
•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀRDS(on)  
•ꢀ150ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature  
4
3
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
1
2
2
3
1
4
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
S 1  
8 D  
7 D  
S 2  
S 3  
G 4  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
6 D  
5 D  
Parameter  
Value  
120  
12  
Unit  
VDS  
V
RDS(on),max  
ID  
m  
A
68  
Qoss  
51  
nC  
nC  
QG(0V..10V)  
51  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
BSC120N12LS  
PG-TDSON-8  
120N12LS  
-
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2019-11-25  

与BSC120N12LS G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC123N08NS3 G INFINEON

获取价格

OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源
BSC123N08NS3G INFINEON

获取价格

OptiMOS™3 Power-Transistor
BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC123N08NS3GXT INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC123N08NSG INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC123N10LS G INFINEON

获取价格

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
BSC123N10LSG INFINEON

获取价格

OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC123N10LSGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 100V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC12DN20NS3 G INFINEON

获取价格

英飞凌 200V OptiMOS? 产品采用性能先进标杆技术,适合在 48V 系统、直流-
BSC12DN20NS3G INFINEON

获取价格

OptiMOSTM3 Power-Transistor