型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC123N08NS3 G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源 | |
BSC123N08NS3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-Transistor | |
BSC123N08NS3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC123N08NS3GXT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC123N08NSG | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC123N10LS G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
BSC123N10LSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Power-Transistor | |
BSC123N10LSGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 100V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSC12DN20NS3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 200V OptiMOS? 产品采用性能先进标杆技术,适合在 48V 系统、直流- | |
BSC12DN20NS3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor |