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BSC120N03LSG

更新时间: 2024-11-05 06:44:23
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 385K
描述
OptiMOS™3 Power-MOSFET

BSC120N03LSG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:1.42其他特性:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):10 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):39 A最大漏极电流 (ID):12 A
最大漏源导通电阻:0.012 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F5JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:5工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):28 W最大脉冲漏极电流 (IDM):156 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSC120N03LSG 数据手册

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BSC120N03LS G  
OptiMOS™3 Power-MOSFET  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
12  
39  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
PG-TDSON-8  
• N-channel; Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
•Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC120N03LS G  
PG-TDSON-8  
120N03LS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
39  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
24  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
33  
21  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
12  
thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
156  
35  
Avalanche current, single pulse4)  
T C=25 °C  
E AS  
I D=25 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
10  
mJ  
I D=39 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
j,max=150 °C  
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 1.6  
page 1  
2009-11-04  

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