5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSC119N03SG
BSC119N03SG PDF预览

BSC119N03SG

更新时间： 2024-09-24 21:54:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
10页 340K
描述
OptiMOS2 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSC119N03SG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：11.9 A
最大漏源导通电阻：0.0119 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：43 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC119N03SG 数据手册

 浏览型号BSC119N03SG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSC119N03SG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSC119N03SG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSC119N03SG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSC119N03SG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSC119N03SG的Datasheet PDF文件第7页 
BSC119N03S G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
11.9  
30  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for notebook DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• N-channel  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Logic level  
P-TDSON-8  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
Q7042 S4292 119N03S  
BSC119N03S G  
P-TDSON-8  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
30  
30  
A
T C=100 °C  
T A=25 °C,  
R
11.9  
thJA=45 K/W2)  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
E AS  
Pulsed drain current  
120  
60  
I D=30 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=30 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=150 °C  
V GS  
P tot  
Gate source voltage  
Power dissipation  
±20  
43  
V
T C=25 °C  
T A=25 °C,  
W
2.8  
R
thJA=45 K/W2)  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
Rev. 1.01  
page 1  
2004-12-15  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

BSC119N03SG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSC020N03LSG INFINEON

类似代替

 OptiMOS™3 Power-MOSFET
BSC042N03LSG INFINEON

类似代替

 OptiMOS™3 Power-MOSFET

与BSC119N03SG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC119N03SG_09 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC119N03SGAUMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11.9A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC120N03LS G INFINEON

获取价格

 		极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成
BSC120N03LSG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™3 Power-MOSFET
BSC120N03LSGATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSC120N03MS G INFINEON

获取价格

 		极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成
BSC120N03MSG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET
BSC120N03MS-G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET
BSC120N12LS G INFINEON

获取价格

 		逻辑电平 OptiMOS? 3 功率 MOSFET 特别适用于?充电、?适配器?和?电信等
BSC123N08NS3 G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源

与BSC119N03SG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证