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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSC119N03SG
BSC119N03SG PDF预览

BSC119N03SG

更新时间： 2024-11-04 21:54:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
10页 340K
描述
OptiMOS2 Power-Transistor

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BSC119N03SG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：11.9 A
最大漏源导通电阻：0.0119 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：43 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC119N03SG 数据手册

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BSC119N03S G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
11.9  
30  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for notebook DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• N-channel  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Logic level  
P-TDSON-8  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
Q7042 S4292 119N03S  
BSC119N03S G  
P-TDSON-8  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
30  
30  
A
T C=100 °C  
T A=25 °C,  
R
11.9  
thJA=45 K/W2)  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
E AS  
Pulsed drain current  
120  
60  
I D=30 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=30 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=150 °C  
V GS  
P tot  
Gate source voltage  
Power dissipation  
±20  
43  
V
T C=25 °C  
T A=25 °C,  
W
2.8  
R
thJA=45 K/W2)  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
Rev. 1.01  
page 1  
2004-12-15  
1234567...10

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BSC119N03SG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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