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BSC118N10NS G

更新时间： 2024-09-26 11:10:59

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	439K
描述
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。

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BSC118N10NS G 数据手册

BSC118N10NS G

OptiMOS™2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

100

11.8

• N-channel, normal level

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 150 °C operating temperature

PG-TDSON-8

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSC118N10NS G

PG-TDSON-8

118N10NS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

T _A=25 °C,

_thJA=45 K/W²⁾

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

280

155

I _D=50 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

114

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

Rev. 1.08

page 1

2009-11-03

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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