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BSC118N10NSG

更新时间： 2024-11-05 06:44:23
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 440K
描述
OptiMOS™2 Power-Transistor

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BSC118N10NSG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
雪崩能效等级（Eas）：155 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：71 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.0118 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：114 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC118N10NSG 数据手册

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BSC118N10NS G  
OptiMOS™2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
100  
11.8  
71  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 150 °C operating temperature  
PG-TDSON-8  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC118N10NS G  
PG-TDSON-8  
118N10NS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
71  
44  
A
T C=100 °C  
T A=25 °C,  
R
11  
thJA=45 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
280  
155  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
114  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
1)J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.08  
page 1  
2009-11-03  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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