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| BSC117N08NS5 | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi |
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| BSC118N10NS G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSC118N10NSG | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC119N03LSCG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC119N03LSCGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC119N03MSCG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC119N03MSCGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC119N03S | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor |
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OptiMOS2 Power-Transistor |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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