5秒后页面跳转
BSC110N15NS5SC PDF预览

BSC110N15NS5SC

更新时间: 2024-09-26 14:50:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
11页 1064K
描述
OptiMOS? 5?power MOSFETs 150 V in SuperSO8 DSC (dual-side cooling) package offer all thermal management benefits of dual-side cooling solutions with industry-standard footprint.

BSC110N15NS5SC 数据手册

 浏览型号BSC110N15NS5SC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSC110N15NS5SC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSC110N15NS5SC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSC110N15NS5SC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSC110N15NS5SC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSC110N15NS5SC的Datasheet PDF文件第7页 
BSC110N15NS5SC  
MOSFET  
OptiMOSTMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ150ꢀV  
PG-WSON-8  
Features  
•ꢀDual-sideꢀcooledꢀpackageꢀwithꢀlowestꢀJunction-topꢀthermalꢀresistance  
•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel  
tab  
•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀRDS(on)ꢀproductꢀ(FOM)  
•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀRDS(on)  
•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification  
5
6
7
8
4
3
2
1
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
Drain  
Pin 5-8  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Gate  
Pin 4  
Parameter  
Value  
150  
11  
Unit  
Source  
Pin 1-3, tab  
VDS  
V
RDS(on),max  
m  
A
ID  
77  
Qrr  
46  
nC  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
BSC110N15NS5SC  
PG-WSON-8  
110N15SC  
-
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2022-10-07  

与BSC110N15NS5SC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC112N06LD INFINEON

获取价格

OptiMOS™ 60V power MOSFET
BSC117N08NS5 INFINEON

获取价格

OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi
BSC118N10NS G INFINEON

获取价格

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
BSC118N10NSG INFINEON

获取价格

OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC119N03LSCG INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC119N03LSCGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC119N03MSCG INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC119N03MSCGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC119N03S INFINEON

获取价格

OptiMOS2 Power-Transistor
BSC119N03SG INFINEON

获取价格

OptiMOS2 Power-Transistor