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BSC110N15NS5ATMA1

更新时间： 2024-09-25 21:11:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		ATM 异步传输模式开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	1175K
描述
Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 150V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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BSC110N15NS5ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	1.67	Samacsys Description：	INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - MOSFET, N-CH, 150V, 76A, TDSON-8
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (ID)：	76 A	最大漏源导通电阻：	0.011 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	304 A
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

OptiMOS^TM

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ150ꢀV

BSC110N15NS5

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.1

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BSC119N03MSCGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC119N03S	INFINEON	获取价格	OptiMOS2 Power-Transistor