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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC110N06NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC110N15NS5 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 150V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC110N15NS5ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 150V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC110N15NS5SC | INFINEON |
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OptiMOS? 5?power MOSFETs 150 V in SuperSO8 DSC (dual-side cooling) package offer all therm |
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| BSC112N06LD | INFINEON |
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OptiMOS™ 60V power MOSFET |
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| BSC117N08NS5 | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi |
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| BSC118N10NS G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSC118N10NSG | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC119N03LSCG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC119N03LSCGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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