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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSC109N10NS3G
BSC109N10NS3G PDF预览

BSC109N10NS3G

更新时间： 2024-11-05 09:00:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 657K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

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BSC109N10NS3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66雪崩能效等级（Eas）：70 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：63 A
最大漏极电流 (ID)：63 A最大漏源导通电阻：0.0109 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：78 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：252 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC109N10NS3G 数据手册

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BSC109N10NS3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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