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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 377 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0105 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC105N15LS5 | INFINEON |
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The OptiMOS? 5 Logic-Level power MOSFET 150 V family offers the same excellent performance |
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| BSC-106-L-D-PE | SAMTEC |
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Board Connector, 12 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Solder Terminal, Socket, |
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| BSC106N025S | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| BSC106N025SG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| BSC106N025SG_09 | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC109N10NS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSC109N10NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSC109N10NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 100V, 0.0109ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| BSC110N06NS3 G | INFINEON |
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OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| BSC110N06NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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