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BSC105N10LSFGXT

更新时间: 2024-09-25 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 436K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

BSC105N10LSFGXT 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.69
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):377 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):11.4 A
最大漏源导通电阻:0.0105 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F5元件数量:1
端子数量:5工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):360 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSC105N10LSFGXT 数据手册

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BSC105N10LSF G  
OptiMOS™2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
100  
10.5  
90  
V
• N-channel, logic level  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• Very low gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
PG-TDSON-8  
• 150 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC105N10LSF G  
PG-TDSON-8  
105N10LS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
90  
57  
A
T C=100 °C  
T A=25 °C,  
R
11.4  
thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
360  
377  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
156  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
Rev. 2.09  
page 1  
2009-11-03  

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