BS829

更新时间： 2024-11-26 22:27:55

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管输入元件
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DMOS Transistors (P-Channel)

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BS829 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH INPUT IMPEDANCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (ID)：	0.07 A	最大漏源导通电阻：	50 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BS829 数据手册

BS829

DMOS Transistors (P-Channel)

FEATURES

SOT-23

♦

High input impedance

.122 (3.1)

.118 (3.0)

Low gate threshold voltage

Low drain-source ON resistance

High-speed switching

No minority carrier storage time

CMOS logic compatible input

No thermal runaway

.016 (0.4)

Top View

No secondary breakdown

.037(0.95) .037(0.95)

MECHANICAL DATA

.102 (2.6)

.094 (2.4)

.016 (0.4) .016 (0.4)

SOT-23 Plastic Package

approx. 0.008 g

Case:

Weight:

Marking

S29

Dimensions in inches and (millimeters)

Pin configuration

1 = Gate, 2 = Source, 3 = Drain

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at

ambient temperature unless otherwise specified

25 °C

Symbol

Value

400

Unit

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

–V

DSS

DGS

400

Gate-Source Voltage (pulsed)

±20

Drain Current (continuous) at T = 50 °C

–I

°C

Power Dissipation at T = 50 °C

tot

350¹⁾

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

¹⁾Device on fiberglass substrate, see layout

–65 to +150

Inverse Diode

Symbol

Value

350

Unit

Max. Forward Current (continuous)

at T

= 25 °C

amb

Forward Voltage Drop (typ.)

at V = 0 V, I = 350 mA, T = 25 °C

1.0

4/98

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