生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIE |
包装说明: | DIE, | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.83 | 最长访问时间: | 55 ns |
JESD-30 代码: | X-XUUC-N | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX16 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIE | 封装形状: | UNSPECIFIED |
封装形式: | UNCASED CHIP | 并行/串行: | PARALLEL |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | UPPER |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS616LV4017DCP70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit |
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BS616LV4017DI | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |
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BS616LV4017DIG55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit |
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BS616LV4017DIG70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit |
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BS616LV4017DIP55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit |
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BS616LV4017DIP70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit |
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BS616LV4017EC | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |
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BS616LV4017EC55 | BSI |
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SRAM |
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BS616LV4017EC70 | BSI |
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暂无描述 |
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BS616LV4017ECG55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit |
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