是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LFBGA, BGA48,6X8,30 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 70 ns |
备用内存宽度: | 8 | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFBGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 2.5/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最大待机电流: | 0.0000017 A | 最小待机电流: | 1.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.018 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.4 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 6 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS616LV4016DC | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit | |
BS616LV4016DC-55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit | |
BS616LV4016DC-70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit | |
BS616LV4016DCG55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit | |
BS616LV4016DCG70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit | |
BS616LV4016DCP55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit | |
BS616LV4016DCP70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit | |
BS616LV4016DI | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit | |
BS616LV4016DI-55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit | |
BS616LV4016DI-70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit |