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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | PLASTIC, SPT, SC-43, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.66 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.25 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.3 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BS108/D | ETC |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 250 mAmps， 200 Volts， Log |
|
| BS108/E6 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 230MA I(D) | TO-92 |
|
| BS108/E7 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 230MA I(D) | TO-92 |
|
| BS108_11 | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level |
|
| BS108A | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BS108-A | DIODES |
获取价格 |
230mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| BS108-AMMO | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose |
|
| BS108AMO | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 250MA I(D) | TO-92VAR |
|
| BS108B | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BS108G | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level |
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