Datasheet > 存储 > EEPROM> BR93LL46F-W

BR93LL46F-W

更新时间： 2024-11-17 13:05:59

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罗姆 - ROHM		内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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描述
EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8

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BR93LL46F-W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	LSOP,
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e2
长度：	5 mm	内存密度：	1024 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	64 words	字数代码：	64
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64X16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
串行总线类型：	MICROWIRE	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
宽度：	4.4 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	25 ms
Base Number Matches：	1

BR93LL46F-W 数据手册

Memory ICs

1,024-Bit Serial Electrically Erasable PROM

BR93LL46F / BR93LL46FV

Features

Pin assignments

•

• Low power CMOS technology

• 64 × 16 bit configuration

N.C.

VCC

N.C.

GND

• 1.8V to 4.0V operation

BR93LL46F

BR93LL46FV

• Low power dissipation

– 0.5mA (typ.) active current

– 0.4µA (typ.) standby current

• Auto increment for efficient data dump

• Automatic erase-before-write

(SOP8 / SSOP-B8)

• Hardware and software write protection

– Defaults to write-disabled state at power up

– Software instructions for write-enable / disable

– Vcc lockout inadvertent write protection

• 8-pin SOP / 8-pin SSOP-B packages

• Device status signal during write cycle

• 100,000 ERASE / WRITE cycles

• 10 years Data Retention

Pin descriptions

•

Pin Name

Function

N.C.

V^CC

Not connected

Power supply

Chip select input

Serial clock input

Start bit, operating code, address, and

serial data input

Serial data output, READY / BUSY

internal status display output

GND

N.C.

Ground

Not connected

Overview

•

The BR93LC46F and BR93LL46FV are CMOS serial input / output-type memory circuits (EEPROMs) that can be

programmed electrically. Each is configured of 64 words × 16 bits (1,024 bits), and each word can be accessed indi-

vidually and data read from it and written to it. Operation control is performed using five types of commands. The

commands, addresses, and data are input through the DI pin under the control of the CS and SK pins. In a write

operation, the internal status signal (READY or BUSY) can be output from the DO pin.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR93LL56	ROHM	获取价格	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8
BR93LL56F	ROHM	获取价格	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
BR93LXX-W	ROHM	获取价格	High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS
BR9466	APITECH	获取价格	RF AMPLIFIER MODEL
BR95010-RDS6TP	ROHM	获取价格	Supply voltage 1.8V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type
BR95010-RDW6TP	ROHM	获取价格	Supply voltage 1.8V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type
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