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BR93LC66F

更新时间： 2024-11-18 22:39:39

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罗姆 - ROHM		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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12页	129K
描述
4,096-Bit Serial Electrically Erasable PROM

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BR93LC66F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	LSOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	0.2 MHz	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e2	长度：	5 mm
内存密度：	4096 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	256 words
字数代码：	256	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256X16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LSOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2/5.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
串行总线类型：	MICROWIRE	最大待机电流：	0.000003 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	25 ms	写保护：	SOFTWARE
Base Number Matches：	1

BR93LC66F 数据手册

Memory ICs

4,096-Bit Serial Electrically Erasable PROM

BR93LC66 / BR93LC66F / BR93LC66RF / BR93LC66FV

Features

Pin assignments

•

• Low power CMOS Technology

• 256 × 16 bit configuration

V^CC

N.C.

GND

N.C.

GND

• 2.7V to 5.5V operation

BR93LC66 /

BR93LC66RF

BR93LC66F /

BR93LC66FV

• Low power dissipation

– 3mA (max.) active current: 5V

– 5µA (max.) standby current: 5V

• Auto increment for efficient data bump

• Automatic erase-before-write

• Hardware and software write protection

– Default to write-disable state at power up

– Software instructions for write-enable / disable

– Vcc lockout inadvertent write protection

• 8-pin SOP / 8-pin SSOP-B / 8-pin DIP packages

• Device status signal during write cycle

• TTL compatible Input / Output

Pin descriptions

•

Name

Function

Chip select input

Serial clock input

Start bit, operating code, address, and serial

data input

• 100,000 ERASE / write cycles

• 10 years Data Retention

Serial data output, READY / BUSY internal

status display output

Ground

GND

N.C.

V^CC

Not connected

Power supply

Overview

•

The BR93LC66 series are CMOS serial input / output-type memory circuits (EEPROMs) that can be programmed

electrically. Each is configured of 256 words × 16 bits (4096 bits), and each word can be accessed individually and

data read from it and written to it.

Operation control is performed using five types of commands. The commands, addresses, and data are input

through the DI pin under the control of the CS and SK pins. In a write operation, the internal status signal (READY or

BUSY) can be output from the DO pin.

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与BR93LC66F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR93LC66FJ	ETC	获取价格	SERIAL EEPROM\|256X16\|CMOS\|SOP\|8PIN\|PLASTIC
BR93LC66FV	ROHM	获取价格	4,096-Bit Serial Electrically Erasable PROM
BR93LC66RF	ROHM	获取价格	4,096-Bit Serial Electrically Erasable PROM
BR93LC66RF-E1	ROHM	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
BR93LC66RF-E2	ROHM	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
BR93LC66RFJ	ETC	获取价格	SERIAL EEPROM\|256X16\|CMOS\|SOP\|8PIN\|PLASTIC
BR93LC66RF-T1	ROHM	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
BR93LC66RF-T2	ROHM	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
BR93LL46F	ROHM	获取价格	1,024-Bit Serial Electrically Erasable PROM
BR93LL46F-E1	ROHM	获取价格	EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8

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