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BR93C46-WDW6TP

更新时间: 2024-09-17 23:14:23
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罗姆 - ROHM 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
6页 319K
描述
Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type

BR93C46-WDW6TP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSSOP
包装说明:TSSOP, TSSOP8,.25针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.78
最大时钟频率 (fCLK):2 MHz数据保留时间-最小值:40
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:S-PDSO-G8
长度:4.4 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:2
功能数量:1端子数量:8
字数:512 words字数代码:512
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512X2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP8,.25封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
串行总线类型:MICROWIRE最大待机电流:0.000005 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.002 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:3 mm最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:SOFTWAREBase Number Matches:1

BR93C46-WDW6TP 数据手册

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